Американская компания Nantero из Бостона, штат Массачусетс, разработала технологию, позволяющую серийно производить чипы памяти на нанотрубках: прототип, состоящий из сотен миллиардов нанотрубок, теоретически может вместить 10 Гбит данных.

Память нового поколения, использующая массив фуллереновых трубок на поверхности чипа кремния (NRAM, Nanoscale Random Access Memory), обладает емкостью, намного превосходящей возможности всех известных видов RAM, и при этом будет хранить данные даже после отключения питания устройства. Загрузка компьютеров, оснащенных такой памятью, при включении будет происходить мгновенно. И, по заверениям разработчиков, по быстродействию NRAM намного превзойдет современные модули памяти - такие, как флэш-память. И самое главное - новую память, в отличие от разработок конкурентов, во множестве ринувшихся в последние годы в область нанотехнологий, можно будет производить с использованием уже имеющихся технологических процессов создания кремниевых чипов, так что стоимость их заоблачной не будет.

Этого удалось достичь, выращивая нанотрубки на поверхности кремния не в виде упорядоченной структуры, а произвольным образом. После этого средствами обычной микролитографии бракованные нанотрубки удаляются, и остаются только правильно расположенные.

Напомним, что углеродные нанотрубки - своеобразные цилиндрические молекулы диаметром примерно от половины нанометра и длиной до нескольких микрометров. Это огромные молекулы, состоящие из миллионов атомов каждая и представляющие собой полые цилиндры. Такие полимерные системы впервые обнаружили менее 10 лет назад как побочные продукты синтеза фуллерена С60. Ожидается, что уже в обозримом будущем электронные устройства нанометрового (молекулярного) размера заменят элементы аналогичного назначения в электронных схемах различных приборов, в том числе современных компьютеров. В результате будет достигнут теоретический предел плотности записи информации (порядка одного бита на молекулу), и вычислительные машины обретут практически неограниченную память и быстродействие, лимитируемое только временем прохождения сигнала через прибор.

Эксперты полагают, что готовые чипы памяти NRAM емкостью до 4 Мбит могут быть получены в ближайшие 18 месяцев, и уже через три года этот тип памяти сможет на равных конкурировать с современными RAM.